[发明专利]具有器件隔离结构的半导体器件有效
| 申请号： | 201010541311.0 | 申请日： | 2010-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102074573A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 韩昇煜;山田悟;崔荣振 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/092;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;王青芝 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有器件隔离结构的半导体器件。示例半导体器件包括：沟槽，形成在半导体基底中，以限定有源区；填充介电层，设置在沟槽中；氧化物层，设置在填充介电层和沟槽之间；氮化物层，设置在氧化物层和填充介电层之间；阻挡层，设置在氧化物层和氮化物层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 器件 隔离 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种具有器件隔离结构的半导体器件，所述半导体器件包括：沟槽，形成在半导体基底中，以限定有源区；填充介电层，设置在沟槽中；氧化物层，设置在填充介电层和沟槽之间；氮化物层，设置在氧化物层和填充介电层之间；阻挡层，设置在氧化物层和氮化物层之间。
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