[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010541608.7 | 申请日： | 2010-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102244098A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 郑铭龙;林彦君;林大文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，上述半导体装置包括一基板，其中具有一应力沟道区；一介电层，设置于至少部分的上述应力沟道区的上方；第一和第二导电层，设置于上述介电层的上方，且具有一第一数值的一特性；一导入应力导电层，设置于上述第一导电层的上方，且具有一第二数值的上述特性，其中上述第二数值不同于上述第一数值。本发明的实施例中使得在沟道区中的硅晶格被压缩，而导致较高的空穴迁移率，从而能够降低起始电压且会增加效能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一基板，其中具有一应力沟道区；一介电层，设置于至少部分的该应力沟道区的上方；一第一导电层，设置于该介电层的上方，且具有一第一数值的一特性；一导入应力导电层，设置于该第一导电层的上方，且具有一第二数值的该特性，其中该第二数值不同于该第一数值；以及一第二导电层，设置于该导入应力导电层的上方，且具有该第一数值的该特性。
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