[发明专利]去除氯硅烷体系中硼杂质的隔板吸附装置及方法有效
| 申请号： | 201010542402.6 | 申请日： | 2010-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN102058992A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 黄国强;石秋玲;王红星;华超;王国峰;姚帅鹏 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | B01D3/32 | 分类号： | B01D3/32;B01D53/04;C01B33/107 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300072 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种去除氯硅烷体系中杂质硼化合物的隔板吸附装置，由一个与塔式吸附段高度相同、置于塔中部的隔板，将该装置分为四个区域：公共精馏段(1)，塔式吸附段(2)，侧线采出段(3)，公共提馏段(4)；在塔式吸附段(2)内填装吸附剂。含有杂质硼化合物的氯硅烷物料(5)在塔式吸附段中部进料，塔顶得到轻组分(6)，侧线采出段得到提纯后的产品三氯氢硅(7)，塔底得到重组分(8)，塔的操作压力为300KPa～500KPa。该工艺对硼杂质的去除率为80％，且能降低能耗60％～80％。较以往的除硼工艺流程大为简化，大大降低了能耗和设备费用。在有效除硼的基础之上，实现了关键组分的分离，分离后的各组分分别进入多晶硅生产的相应单元，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 硅烷 体系 杂质 隔板 吸附 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种去除氯硅烷体系中杂质硼化合物的隔板吸附装置，其特征在于：由一个与塔式吸附段高度相同、置于塔中部的隔板，将该装置分为四个区域：公共精馏段(1)，塔式吸附段(2)，侧线采出段(3)，公共提馏段(4)；在塔式吸附段(2)内填装吸附剂。
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