[发明专利]TFT阵列基板、制造方法及液晶显示装置有效

专利信息
申请号: 201010542471.7 申请日: 2010-11-11
公开(公告)号: CN102468243A 公开(公告)日: 2012-05-23
发明(设计)人: 谢振宇;陈旭;龙春平 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L21/84 分类号: H01L21/84;H01L21/768;H01L21/027;H01L21/20;H01L27/12;G02F1/1362
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100176 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例提供一种TFT阵列基板、制造方法及液晶显示装置,涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域,无需为遮光增加掩膜板构图工艺,且能够有效保证遮光。其方法为:在基板上形成横纵交叉的数据线和栅线,数据线和栅线围设形成像素单元,每个像素单元包括TFT开关;在基板上形成钝化层;在钝化层上沉积像素电极层;在像素电极层上涂覆光刻胶,并进行曝光、显影,形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域,光刻胶完全保留区域对应像素电极区域,光刻胶完全去除区域对应其他区域;刻蚀去除光刻胶完全去除区域的像素电极层;对基板进行处理,使光刻胶完全去除区域的钝化层表面变为黑色;剥离去除光刻胶完全保留区域的光刻胶。
搜索关键词: tft 阵列 制造 方法 液晶 显示装置
【主权项】:
一种TFT阵列基板制造方法,在基板上形成横纵交叉的数据线和栅线,所述数据线和栅线围设形成像素单元,每个像素单元包括TFT开关;其中,所述TFT开关包括栅电极、源电极、漏电极和有源层,其特征在于,在形成有上述结构的所述基板上形成钝化层;在所述形成有钝化层的基板上沉积像素电极层;在所述像素电极层上涂覆光刻胶,并进行曝光、显影,形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域,所述光刻胶完全保留区域对应像素电极区域,所述光刻胶完全去除区域对应其他区域;刻蚀去除光刻胶完全去除区域的像素电极层;对基板进行处理,使光刻胶完全去除区域的钝化层表面变为黑色;剥离去除光刻胶完全保留区域的光刻胶。
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