[发明专利]TFT阵列基板、制造方法及液晶显示装置有效
申请号: | 201010542471.7 | 申请日: | 2010-11-11 |
公开(公告)号: | CN102468243A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 谢振宇;陈旭;龙春平 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/768;H01L21/027;H01L21/20;H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种TFT阵列基板、制造方法及液晶显示装置,涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域,无需为遮光增加掩膜板构图工艺,且能够有效保证遮光。其方法为:在基板上形成横纵交叉的数据线和栅线,数据线和栅线围设形成像素单元,每个像素单元包括TFT开关;在基板上形成钝化层;在钝化层上沉积像素电极层;在像素电极层上涂覆光刻胶,并进行曝光、显影,形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域,光刻胶完全保留区域对应像素电极区域,光刻胶完全去除区域对应其他区域;刻蚀去除光刻胶完全去除区域的像素电极层;对基板进行处理,使光刻胶完全去除区域的钝化层表面变为黑色;剥离去除光刻胶完全保留区域的光刻胶。 | ||
搜索关键词: | tft 阵列 制造 方法 液晶 显示装置 | ||
【主权项】:
一种TFT阵列基板制造方法,在基板上形成横纵交叉的数据线和栅线,所述数据线和栅线围设形成像素单元,每个像素单元包括TFT开关;其中,所述TFT开关包括栅电极、源电极、漏电极和有源层,其特征在于,在形成有上述结构的所述基板上形成钝化层;在所述形成有钝化层的基板上沉积像素电极层;在所述像素电极层上涂覆光刻胶,并进行曝光、显影,形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域,所述光刻胶完全保留区域对应像素电极区域,所述光刻胶完全去除区域对应其他区域;刻蚀去除光刻胶完全去除区域的像素电极层;对基板进行处理,使光刻胶完全去除区域的钝化层表面变为黑色;剥离去除光刻胶完全保留区域的光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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