[发明专利]等离子体处理装置无效
申请号: | 201010543269.6 | 申请日: | 2006-04-27 |
公开(公告)号: | CN101982563A | 公开(公告)日: | 2011-03-02 |
发明(设计)人: | 森田治 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;H01L21/3065;H01L21/205;H05H1/24 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;彭益群 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明是一种等离子体处理装置,包括:处理容器,具有:其中生成等离子体的等离子体生成空间,和其中放置基板且基板进行等离子体处理的处理空间;气体供应板,其被设置在处理容器中以将处理容器中的等离子体生成空间和处理空间分开;处理气体供应孔,其被设置在气体供应板中,用于将处理气体供应至处理容器中;多个开口,其被设置在气体供应板中,用于将等离子体生成空间与处理空间连通;和传热元件,其从气体供应板的中央区域延伸到气体供应板的外周区域,传热元件的传热速率高于形成气体供应板的材料的传热速率。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种等离子体处理装置,包括:处理容器,具有:其中生成等离子体的等离子体生成空间,和其中放置基板且所述基板进行等离子体处理的处理空间,气体供应板,其被设置在所述处理容器中以将所述处理容器中的所述等离子体生成空间和所述处理空间分开,处理气体供应孔,其被设置在所述气体供应板中,用于将处理气体供应至所述处理容器中,多个开口,其被设置在所述气体供应板中,用于将所述等离子体生成空间与所述处理空间连通,和传热元件,其从所述气体供应板的中央区域延伸到所述气体供应板的外周区域,所述传热元件的传热速率高于形成所述气体供应板的材料的传热速率。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的