[发明专利]光电二极管以及制造光电二极管的方法无效

专利信息
申请号: 201010543447.5 申请日: 2010-09-21
公开(公告)号: CN102064228A 公开(公告)日: 2011-05-18
发明(设计)人: D·郑;J·琼斯 申请(专利权)人: 英特赛尔美国股份有限公司
主分类号: H01L31/101 分类号: H01L31/101;H01L31/0216;H01L31/18
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 李玲
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种光电二极管包括在有源光电二极管区域上的开口,从而顶层钝化层和层间介电层(ILD)不会影响到光电二极管的光谱响应。包括多个电介质层的电介质反射涂层滤光器填充开口的至少一部分并且因此覆盖有源二极管区域,以调整光电二极管的光谱响应。可选地,电介质反射涂层滤光器在开口之前形成,并且通过去除顶层钝化涂层和ILD使电介质反射涂层滤光器暴露以形成开口。
搜索关键词: 光电二极管 以及 制造 方法
【主权项】:
一种光电二极管,包括:第一半导体类型表面区域;形成在所述第一半导体类型表面区域的一部分中的第二半导体类型表面层,其中通过所述第一半导体类型表面区域和所述第二半导体类型表面层的PN结形成有源光电二极管区域;在所述第二半导体类型表面层上的钝化涂层;在所述钝化涂层的一部分上的蚀刻停止涂层;在所述有源光电二极管区域的至少一部分上的开口,所述开口向下延伸穿过所述蚀刻停止涂层直到所述钝化涂层;包含多个电介质层的电介质反射涂层滤光器,所述电介质反射涂层滤光器填充所述开口的至少一部分从而覆盖所述有源光电二极管区域的至少一部分;其中所述开口允许入射在所述光电二极管上的光的一部分被所述有源光电二极管区域接收;以及其中所述电介质反射涂层滤光器反射入射在所述光电二极管上的光的一部分从而调整所述光电二极管的光谱响应。
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