[发明专利]非易失性半导体存储器器件无效
| 申请号： | 201010543544.4 | 申请日： | 2010-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102063937A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 北川真;椎本恒则 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 非易失性半导体存储器器件包括：存储器单元件，其中两个电极之间的电荷放电速度根据存储的信息的逻辑而不同；感测放大器，其通过将与所述存储器元件的电极之一连接的布线的放电电势与参考电势相比较来检测信息的逻辑；以及负载电容改变单元，其根据由所述存储器元件读出的信息的逻辑来改变放电电势所输入的所述感测放大器的感测节点的负载电容、或者所述感测节点的负载电容和参考电势所输入的所述感测放大器的参考节点的负载电容两者。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储器 器件 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储器器件，包括：存储器单元件，其中两个电极之间的电荷放电速度根据存储的信息的逻辑而不同；感测放大器，其通过将与所述存储器元件的电极之一连接的布线的放电电势与参考电势相比较来检测信息的逻辑；以及负载电容改变单元，其根据由所述存储器元件读出的信息的逻辑来改变放电电势所输入的所述感测放大器的感测节点的负载电容、或者所述感测节点的负载电容和参考电势所输入的所述感测放大器的参考节点的负载电容两者。
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