[发明专利]磁场传感器无效
| 申请号： | 201010543819.4 | 申请日： | 2010-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102073023A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·亨里克斯·玛格丽塔·范费尔德温;安德烈亚斯·伯纳德斯·玛丽亚·扬斯曼;亚普·鲁伊戈罗克 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种AMR传感器，包括向其施加相反的偏置场的至少第一和第二AMR传感器元件。第一和第二AMR传感器元件的输出被组合以获得传感器响应，该传感器响应在接近零外磁场的区域中实质上是反对称的。该配置偏移AMR传感器元件的零检测点而远离响应曲线的最大值，以获得在零输入场邻近的灵敏度。为了克服响应不是反对称的问题，组合来自(至少)两个传感器元件的信号。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
一种AMR传感器，包括：至少第一和第二AMR传感器元件(301、302)；用于向第一AMR传感器元件施加第一DC偏置场(Hbias)以及向第二AMR传感器元件施加相反的第二DC偏置场(‑Hbias)的装置；以及用于组合第一和第二AMR传感器元件的输出以获得传感器响应的装置，该传感器响应在接近零外磁场的区域中实质上是反对称的。
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