[发明专利]高频频率源装置有效
| 申请号： | 201010544425.0 | 申请日： | 2010-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102468851A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 王显泰;吴旦昱;刘洪刚;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03L7/26 | 分类号： | H03L7/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高频频率源装置。该高频频率源装置包括：单片GaN HEMT微波振荡器，用于产生高功率的微波振荡信号；锁相电路，用于接收微波振荡信号，实现对单片GaN HEMT微波振荡器输出的微波振荡信号的锁相；倍频电路，用于接收单片GaN HEMT微波振荡器产生的经过锁相的微波振荡信号，并将微波振荡信号倍频到预设高频频率后输出。本发明高频频率源装置克服了现有技术中基于二极管负阻结构的高频频率源装置噪声性能差的缺陷，具有低噪声、可调谐性能高、稳定性能好的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 频率 装置 | ||
【主权项】：
一种高频频率源装置，其特征在于，包括：单片氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT微波振荡器，用于产生高功率的微波振荡信号；锁相电路，用于接收所述微波振荡信号，实现对所述单片GaN HEMT微波振荡器输出的微波振荡信号的锁相；倍频电路，用于接收所述单片GaN HEMT微波振荡器产生的经过所述锁相的微波振荡信号，并将所述微波振荡信号倍频到预设高频频率后输出。
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