[发明专利]一种自支撑GaN基发光器件及其制备方法无效
| 申请号： | 201010545467.6 | 申请日： | 2010-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102110751A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 潘新花;黄靖云;叶志镇;丁萍;张宏海 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/32;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的自支撑GaN基发光器件，自下而上依次有GaN保护层、GaN缓冲层、n型GaN层、GaN基发光层和p型GaN层。其制备方法如下：先采用分子束外延技术在SiC衬底上依次生长ZnO层和GaN保护层；然后采用金属有机物化学气相沉积技术在GaN保护层上依次生长GaN缓冲层、n型GaN层、GaN基发光层和p型GaN层；再用酸液腐蚀去掉ZnO层，将SiC衬底和GaN基器件薄膜分离。本发明方法简单，通过在SiC衬底上先生长一层ZnO层，有效地提高了GaN基器件薄膜的质量；同时易于将衬底与器件薄膜分离，使SiC衬底可以重复使用，大大降低器件成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 支撑 gan 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种自支撑GaN基发光器件，其特征是：自下而上依次有GaN保护层(3)、GaN缓冲层(4)、n型GaN层(5)、GaN基发光层(6)和p型GaN层(7)。
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