[发明专利]一种二硼化镁超导带材的制作方法无效
| 申请号： | 201010545549.0 | 申请日： | 2010-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102034575A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 潘熙锋;赵勇 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B12/06 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所 51208 | 代理人： | 陈树明 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种二硼化镁超导带材的制作方法，其作法是：A、采用涂覆的方法将无定形硼均匀分布在导电基片上，形成0.1～2.0mm厚的无定形硼层；B、在硼层的上面覆盖镁或镁合金的薄片，薄片厚度0.1～2.0mm，碾压，形成镁-硼-基片的结合体；C、将B步的结合体放入热处理炉中，在氩气保护气氛下，升温至550～800℃，保温0.1-3小时，冷却；D、在C步处理后的结合体上涂覆金属、金属氧化物、碳化硅或类金刚石薄膜作为保护层，形成复合体；E、将D步的复合体切割成长带。本发明方法制备的MgB2超导带致密性及其晶粒连接性好，临界电流密度高，适合商业应用，电流密度分布均匀，疲劳寿命高。方法简单，适合工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二硼化镁 超导 制作方法 | ||
【主权项】：
一种二硼化镁超导带材的制作方法，其具体作法是：A、涂覆硼层：采用涂覆的方法将无定形硼均匀分布在导电基片上，形成0.1～2.0mm厚的无定形硼层；B、覆盖镁层：在硼层的上面覆盖镁或镁合金的薄片，薄片厚度0.1～2.0mm，通过碾压使硼层与镁或镁合金的薄片完全结合，形成镁‑硼‑基片的结合体；C、热处理：将B步的结合体放入热处理炉中，在氩气保护气氛下，升温至550～800℃后，保温0.1‑3小时后冷却，结合体中的Mg‑硼即形成MgB2超导层；D、涂保护层：在C步处理后的结合体超导层表面上涂覆金属、金属合金、金属氧化物、碳化硅或类金刚石薄膜作为保护层，形成由基片、MgB2超导层和保护层组成的复合体；E、切割加工：将D步的复合体切割成长带，即得。
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