[发明专利]利用冗余图形填充来调整芯片图形密度的方法有效

专利信息
申请号: 201010545835.7 申请日: 2010-11-16
公开(公告)号: CN102468134A 公开(公告)日: 2012-05-23
发明(设计)人: 陈福成 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;G06F17/50;H01L21/00
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 丁纪铁
地址: 201206 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种利用冗余图形填充来调整芯片图形密度的方法,包括如下步骤:得到芯片制备中某个图层的可填充区域;预设一组图形密度不等的填充图形;等分为多个小块区域,设定在填充后图层的图形密度,小块区域的最小图形密度值、最大图形密度值和相邻两个小块区域间的最大图形密度差值;计算上述各小块区域初始的图形密度值;计算填入的图形密度最大的填充图形后的小块区域的图形密度值;采用虚拟图形填充的方法调整每个小块区域的图形密度;对各小块区域中的可填充区域进行填充,使填充后小块区域的图形密度值与步骤(6)所调整出的图形密度值最接近。本发明的方法,改善了填充后的局部区域图形密度的均一性。
搜索关键词: 利用 冗余 图形 填充 调整 芯片 密度 方法
【主权项】:
一种利用冗余图形填充来调整芯片图形密度的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)根据填充规则,得到芯片制备中某个图层的可填充区域;(2)预设一组图形密度不等的填充图形;(3)将所述图层等分为多个小块区域,根据工艺要求,设定在填充完成后所述图层的图形密度要求,所述小块区域的最小图形密度值、最大图形密度值和相邻两个小块区域间的最大图形密度差值(GRA);(4)计算上述各小块区域初始的图形密度值(CD0);(5)计算在上述各小块区域的可填充区域中,填入步骤(2)中所设定的图形密度最大的填充图形后的小块区域的图形密度值(CM);(6)根据步骤(4)中计算的各小块区域的图形密度值(CD0)、步骤(5)中计算的各小块区域的图形密度值(CM)以及两者的之间的图形密度差值,采用虚拟图形填充的方法依次调整每个小块区域的图形密度,使前后两次调整后各小块区域的图形密度的差值小于预定数值,且整个图层最终图形密度在步骤(3)所设定的范围内;(7)用步骤(2)中预设的填充图形,对各小块区域中的可填充区域进行填充,使填充后小块区域的图形密度值与步骤(6)所调整出的图形密度值最接近。
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