[发明专利]利用冗余图形填充来调整芯片图形密度的方法有效
申请号: | 201010545835.7 | 申请日: | 2010-11-16 |
公开(公告)号: | CN102468134A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 陈福成 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;G06F17/50;H01L21/00 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种利用冗余图形填充来调整芯片图形密度的方法,包括如下步骤:得到芯片制备中某个图层的可填充区域;预设一组图形密度不等的填充图形;等分为多个小块区域,设定在填充后图层的图形密度,小块区域的最小图形密度值、最大图形密度值和相邻两个小块区域间的最大图形密度差值;计算上述各小块区域初始的图形密度值;计算填入的图形密度最大的填充图形后的小块区域的图形密度值;采用虚拟图形填充的方法调整每个小块区域的图形密度;对各小块区域中的可填充区域进行填充,使填充后小块区域的图形密度值与步骤(6)所调整出的图形密度值最接近。本发明的方法,改善了填充后的局部区域图形密度的均一性。 | ||
搜索关键词: | 利用 冗余 图形 填充 调整 芯片 密度 方法 | ||
【主权项】:
一种利用冗余图形填充来调整芯片图形密度的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)根据填充规则,得到芯片制备中某个图层的可填充区域;(2)预设一组图形密度不等的填充图形;(3)将所述图层等分为多个小块区域,根据工艺要求,设定在填充完成后所述图层的图形密度要求,所述小块区域的最小图形密度值、最大图形密度值和相邻两个小块区域间的最大图形密度差值(GRA);(4)计算上述各小块区域初始的图形密度值(CD0);(5)计算在上述各小块区域的可填充区域中,填入步骤(2)中所设定的图形密度最大的填充图形后的小块区域的图形密度值(CM);(6)根据步骤(4)中计算的各小块区域的图形密度值(CD0)、步骤(5)中计算的各小块区域的图形密度值(CM)以及两者的之间的图形密度差值,采用虚拟图形填充的方法依次调整每个小块区域的图形密度,使前后两次调整后各小块区域的图形密度的差值小于预定数值,且整个图层最终图形密度在步骤(3)所设定的范围内;(7)用步骤(2)中预设的填充图形,对各小块区域中的可填充区域进行填充,使填充后小块区域的图形密度值与步骤(6)所调整出的图形密度值最接近。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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