[发明专利]一种平坦化方法有效
申请号: | 201010545902.5 | 申请日: | 2010-11-16 |
公开(公告)号: | CN102097311A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 肖志强;黄蕴;张明;吴建伟 | 申请(专利权)人: | 无锡中微晶园电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;H01L21/311;H01L21/02;H01L21/768 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
地址: | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种平坦化方法,其包括如下步骤:a、提供衬底,衬底上设置底层金属连线;b、淀积绝缘介质层;c、涂布光刻胶;d、对衬底及光刻胶进行热处理;e、对衬底及光刻胶进行干法刻蚀,并保留位于金属连线底层台阶处的绝缘介质层;f、用EKC溶液清洗;g、再次淀积绝缘介质层;h、再次涂布光刻胶;i、对上述衬底及光刻胶进行热处理;j、对上述衬底及光刻胶进行干法刻蚀,去除绝缘介质层及所述绝缘介质层上的光刻胶,并保留位于金属连线底层台阶处的绝缘介质层;所述保留的绝缘介质层的厚度与所述底层金属连线的厚度相当;k、对上述衬底通过干法去胶后,再用EKC溶液清洗。本发明工艺步骤简单有效,加工成本低廉,平坦化效果好,安全可靠。 | ||
搜索关键词: | 一种 平坦 方法 | ||
【主权项】:
一种平坦化方法,其特征是,所述平坦化方法包括如下步骤:(a)、提供衬底,所述衬底上设置底层金属连线;(b)、在上述衬底上,淀积绝缘介质层,所述绝缘介质层覆盖在底层金属连线上;(c)、在上述绝缘介质层上涂布光刻胶;(d)、对上述衬底及光刻胶进行热处理,去除光刻胶中的水汽;(e)、对上述衬底及光刻胶进行干法刻蚀,去除绝缘介质层及所述绝缘介质层上的光刻胶,并保留位于金属连线底层台阶处的绝缘介质层;(f)、对上述衬底通过干法去胶后,再用EKC溶液清洗,清除衬底上的光刻胶;(g)、上述衬底上,再次淀积绝缘介质层,所述绝缘介质层覆盖在底层金属连线上;(h)、在上述再次淀积得到的绝缘介质层上涂布光刻胶;(i)、对上述衬底及光刻胶进行热处理,去除光刻胶中的水汽;(j)、对上述衬底及光刻胶进行干法刻蚀,去除绝缘介质层及所述绝缘介质层上的光刻胶,并保留位于金属连线底层台阶处的绝缘介质层;所述保留的绝缘介质层的厚度与所述底层金属连线的厚度相当;(k)对上述衬底通过干法去胶后,再用EKC溶液清洗,清除衬底上的光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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