[发明专利]基板的制作方法及半导体芯片的封装方法无效
| 申请号： | 201010546040.8 | 申请日： | 2010-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102468186A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 吴小龙;吴梅珠;刘秋华;徐杰栋;刘晓阳;胡广群;毛少昊;邵鸣达 | 申请（专利权）人： | 无锡江南计算技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;C25D3/38;C25D5/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 214083 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基板的制作方法和芯片封装方法，该方法包括：提供形成有籽晶层的基板；在所述籽晶层上形成第一绝缘掩膜层，所述第一绝缘掩膜层内形成有多个第一开口，所述第一开口露出籽晶层；在所述第一开口形成基板焊盘；在所述基板焊盘和第一绝缘掩膜层上形成第二绝缘掩膜层，所述第二绝缘掩膜层内形成有多个第二开口，所述第二开口的位置与基板焊盘的位置对应；进行电镀沉积工艺，在所述第二开口内形成导电凸块；去除所述第一掩膜绝缘层和第二掩膜绝缘层；去除未被所述基板焊盘覆盖的籽晶层；形成覆盖所述基板焊盘、剩余的籽晶层的绝缘介质层，所述绝缘介质层与所述导电凸块齐平。本发明提高了基板上金属凸块的共面性和封装后芯片的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 制作方法 半导体 芯片 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种基板的制作方法，其特征在于，包括：提供基板，所述基板上形成有籽晶层；在所述籽晶层上形成第一绝缘掩膜层，所述第一绝缘掩膜层内形成有多个第一开口，所述第一开口露出籽晶层；在所述第一开口内形成基板焊盘；在所述基板焊盘和第一绝缘掩膜层上形成第二绝缘掩膜层，所述第二绝缘掩膜层内形成有多个第二开口，所述第二开口的位置与基板焊盘的位置对应；进行电镀沉积工艺，在所述第二开口内形成导电凸块；去除所述第一掩膜绝缘层和第二掩膜绝缘层；去除未被所述基板焊盘覆盖的籽晶层；形成覆盖所述基板焊盘、剩余的籽晶层的绝缘介质层，所述绝缘介质层与所述导电凸块齐平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
