[发明专利]阴影效应分析结构、其形成方法和其分析方法有效
| 申请号： | 201010546311.X | 申请日： | 2010-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102468274A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 胡华勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/00;H01L21/66;G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阴影效应分析结构，包括：测试基底，所述测试基底包括离子注入区和非离子注入区，及位于所述测试基底的非离子注入区表面的至少两个光刻胶柱；其中至少有两个光刻胶柱的高度不相同。本发明还提供一种所述阴影效应分析结构的形成方法和其分析方法，通过本发明的结构及其分析方法，降低阴影效应分析成本，提高阴影效应的分析效率，进一步还可以优化离子注入的光刻胶层高度，改善阴影效应。 | ||
| 搜索关键词： | 阴影 效应 分析 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种阴影效应分析结构，其特征在于，包括：测试基底，所述测试基底包括离子注入区和非离子注入区，及位于所述测试基底的非离子注入区表面的至少两个光刻胶柱；其特征在于，至少有两个光刻胶柱的高度不相同。
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