[发明专利]填充组合物、包括其的半导体装置及该半导体装置的制法有效

专利信息
申请号: 201010546515.3 申请日: 2010-09-21
公开(公告)号: CN102205470A 公开(公告)日: 2011-10-05
发明(设计)人: 严龙成;文钟太;崔光成;裵贤哲;李宗津 申请(专利权)人: 韩国电子通信研究院
主分类号: B23K35/22 分类号: B23K35/22;B23K35/24;B23K35/36;H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 金拟粲
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供填充组合物、包括其的半导体装置及该半导体装置的制法。所述填充组合物包含:包括Cu和/或Ag的第一颗粒;使第一颗粒电连接的第二颗粒;以及所述第一和第二颗粒分散于其中的包含高分子化合物、硬化剂以及还原剂的树脂,其中所述硬化剂包括胺和/或酸酐,且所述还原剂包括羧基。
搜索关键词: 填充 组合 包括 半导体 装置 制法
【主权项】:
填充组合物,包含:包括Cu和/或Ag的第一颗粒;使所述第一颗粒电连接的第二颗粒;以及所述第一和第二颗粒分散于其中的包含高分子化合物、硬化剂以及还原剂的树脂,其中所述硬化剂包括胺和/或酸酐,且所述还原剂包括羧基。
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