[发明专利]一种提高磁控溅射工艺制备金属薄膜与基底结合力的方法无效
| 申请号： | 201010546632.X | 申请日： | 2010-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102465274A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 吕旭东;王磊;华志强;李弢;袁学韬 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/48 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 耿小强 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高磁控溅射工艺制备金属薄膜与基底结合力的方法，在磁控溅射工艺制备金属薄膜时，预先将基底进行离子注入后，再进行磁控溅射镀膜，得到所需导电金属薄膜。本发明还公开了采用上述方法制备金属薄膜的方法，包括将基底表面用丙酮清洗后，氮气吹干；使用MEVVA源对基底进行离子注入，离子注入能量为10kev～100kev，注入浓度为1016～5x1017/cm3；取出经过离子注入后的基底，进行磁控溅射，磁控溅射过程中气压为0.1pa～10pa，溅射时间为10～20分钟，基底温度为室温至300℃，得到金属薄膜。本发明方法大大提高了金属导电层与基底的结合力，可大幅度增加以该方法为基础制备出来的精密电子线路等器件的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 磁控溅射 工艺 制备 金属 薄膜 基底 结合 方法 | ||
【主权项】：
一种提高磁控溅射工艺制备金属薄膜与基底结合力的方法，其特征在于：在磁控溅射工艺制备金属薄膜时，预先将基底进行离子注入后，再进行磁控溅射镀膜，得到所需导电金属薄膜。
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