[发明专利]同轴一体化射频信号隔离器无效
| 申请号： | 201010546794.3 | 申请日： | 2010-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102158218A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 张盛兴 | 申请（专利权）人： | 广东通宇通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/14 | 分类号： | H03K19/14 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 张海文 |
| 地址： | 528437 广东省中山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 同轴一体化射频信号隔离器，包括N型连接器阳、阴头，N型连接器阳、阴头通过绝缘外壳固定装配于一起，N型连接器阳、阴头的内通道分别设置有阳、阴头内导体，所述阳、阴头内导体通过中心被银电容连接；在绝缘外壳内分布有多个外环被银电容，多个外环被银电容通过集流片连接在一起组成外环被银电容组，外环被银电容组两端分别连接N型连接器阳、阴头组成的金属外壳体。本发明制成类似于N型连接器直通，可很方便的串接在射频传输电缆中，对直流及低频信号进行隔离，而让高频信号(300-4000MHz)顺利通过。 | ||
| 搜索关键词： | 同轴 一体化 射频 信号 隔离器 | ||
【主权项】：
同轴一体化射频信号隔离器，其特征在于：包括主要由N型连接器阳、阴头(1、2)组成的外壳，N型连接器阳、阴头(1、2)通过绝缘外壳(3)固定装配于一起，N型连接器阳、阴头(1、2)的内通道分别设置有阳、阴头内导体(4、5)，所述阳、阴头内导体(4、5)通过中心被银电容(6)连接；在绝缘外壳(3)内分布有多个外环被银电容(7)，多个外环被银电容(7)通过集流片(71)连接在一起组成外环被银电容组，外环被银电容组两端分别连接N型连接器阳、阴头(1、2)，形成外壳频带通道。
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