[发明专利]相变存储器及其制作方法有效
| 申请号： | 201010548111.8 | 申请日： | 2010-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102468433A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 何其旸;张翼英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种相变存储器及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介质层和位于所述层间介质层内的接触插塞；在所述层间介质层上形成覆盖所述接触插塞的绝缘介质层；在所述绝缘介质层内形成碗状开口，所述碗状开口的底部露出所述接触插塞；在所述碗状开口内形成相变层。本发明的方法形成的相变存储器的相变电流小，功耗低。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介质层和位于所述层间介质层内的接触插塞；在所述层间介质层上形成覆盖所述接触插塞的绝缘介质层；在所述绝缘介质层内形成碗状开口，所述碗状开口的底部露出所述接触插塞；在所述碗状开口内形成相变层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010548111.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
