[发明专利]晶体管的制作方法无效
申请号: | 201010548113.7 | 申请日: | 2010-11-17 |
公开(公告)号: | CN102468173A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 何永根 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L21/316;C23C16/52;C23C16/40 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提出一种晶体管的制作方法,所述方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有栅极结构;在所述半导体衬底表面和栅极结构的侧壁和顶部形成氧化层,所述氧化层利用沉积工艺制作;在所述氧化层上形成侧墙介质层;去除位于所述半导体衬底上的侧墙介质层和氧化层,保留位于栅极结构的侧壁和顶部的侧墙介质层和氧化层,所述侧墙介质层和氧化层形成侧墙结构;以所述栅极结构和侧墙结构为掩膜,进行离子注入,在栅极结构和侧墙结构两侧的半导体衬底内形成源区和漏区。本发明改善了晶体管的漏电流问题。 | ||
搜索关键词: | 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】:
一种晶体管的制作方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有栅极结构;在所述半导体衬底表面和栅极结构的侧壁和顶部形成氧化层,所述氧化层利用沉积工艺制作;在所述氧化层上形成侧墙介质层;去除位于所述半导体衬底上的侧墙介质层和氧化层,保留位于栅极结构的侧壁和顶部的侧墙介质层和氧化层,所述侧墙介质层和氧化层形成侧墙结构;以所述栅极结构和侧墙结构为掩膜,进行离子注入,在栅极结构和侧墙结构两侧的半导体衬底内形成源区和漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造