[发明专利]一种抗总剂量辐射加固晶体管结构有效
| 申请号： | 201010548221.4 | 申请日： | 2010-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102074580A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 王亮;岳素格 | 申请（专利权）人： | 北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 安丽 |
| 地址： | 100076 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种抗总剂量辐射加固晶体管结构，通过栅区将有源区分为漏区、源区和浮空区，并利用栅区将漏区完全包围，消除了源区到漏区的关态寄生通路，实现抗总剂量辐射加固的功能，本发明结构在解决由电离辐射总剂量效应引起的晶体管源漏区之间寄生漏电问题的同时，能实现小尺寸的晶体管，且有效减小了栅极电容，从而比现有技术更能满足高速、低功耗抗辐射加固集成电路的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 剂量 辐射 加固 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种抗总剂量辐射加固晶体管结构，其特征在于：包括栅区、漏区、源区和浮空区，所述栅区、漏区、源区和浮空区均分布在同一个有源区之内且栅区将有源区分隔成源区、漏区和浮空区，漏区、源区和浮空区两两之间没有相交区域，漏区被栅区完全包围，源区被栅区部分包围或完全包围，浮空区被栅区部分包围；所述浮空区是指与源区和漏区具有同种掺杂类型和同样掺杂浓度的且不通过连线引出的区域。
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