[发明专利]三元GaAsP铝电极发光二极管芯片制备方法无效
| 申请号： | 201010548721.8 | 申请日： | 2010-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102468376A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 李有群;杨彦霞;岳建水 | 申请（专利权）人： | 上海大晨光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201206 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及三元GaAsP铝电极发光二极管芯片制备方法，该工艺的技术特征在于制作铝电极之前，先对芯片正面(发光面)进行粗化处理，使得光线从内部经由发光面能均匀折射出来；并在完成铝电极制作完成后，对该电极进行保护，再对发光二极管(LED)芯片侧面进行粗化处理，使得光线从内部经由侧面能均匀折射出来。从而在保持外延层结构不变的前提下明显提高了发光二极管(LED)芯片的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 三元 gaasp 电极 发光二极管 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
三元GaAsP铝电极发光二极管芯片制备方法，其特征在于：该方法依次包括以下步骤：步骤S100，对芯片正面进行粗化；步骤S200，对划片后的芯片侧面进行粗化。
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