[发明专利]光吸收层的制造方法及应用其的太阳能电池结构体有效
申请号: | 201010549000.9 | 申请日: | 2010-11-18 |
公开(公告)号: | CN102468367A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 廖曰淳;黄渼雯;陈彦至 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0264;H01L31/04;C01B19/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种光吸收层的制造方法,包括以下之步骤:湿式涂布调控前驱物于底层前驱物上,调控前驱物的能隙系大于底层前驱物的能隙。调控前驱物系为I-III-VI族化合物,且I-III-VI族化合物的组成范围系为Cua(In1-b-cGabAlc)(Se1-dSd)2,0<a,0≤b≤1,0≤c≤1,0<b+c≤1,且0≤d≤1。接着,进行热处理,使得底层前驱物及调控前驱物形成光吸收层。 | ||
搜索关键词: | 光吸收 制造 方法 应用 太阳能电池 结构 | ||
【主权项】:
一种光吸收层的制造方法,包括:湿式涂布调控前驱物于底层前驱物上,该调控前驱物的能隙大于该底层前驱物的能隙,该调控前驱物为I‑III‑VI族化合物,且该I‑III‑VI族化合物的组成范围为Cua(In1‑b‑cGabAlc)(Se1‑dSd)2,0<a,0≤b≤1,0≤c≤1,0<b+c≤1,且0≤d≤1;以及进行热处理,使得该底层前驱物及该调控前驱物形成光吸收层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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