[发明专利]一种采用高压耗尽NMOS管结构的高压转低压电源电路无效
| 申请号： | 201010549830.1 | 申请日： | 2010-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102467145A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 张立新;邹宇彤;陈健;易扬波;周飙;李海松;张韬;胡旅顺 | 申请（专利权）人： | 无锡芯朋微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用高压耗尽NMOS管结构的高压转低压电源电路，包括低压稳压电路，其特征是还包括高压耗尽管，所述高压耗尽NMOS管的漏端接高压电源电压，栅端接一固定电位，源端为高压电源转化为低压电源输出。所述低压稳压电路由运算放大器U1，第一比例电阻R1，第二比例电阻R2，PMOS调整管P1组成。由于本发明高压电源转低压电源电路直接采用高压耗尽管来做降压器件，相对于采用JFET的方案，从器件特性来说相同面积的高压耗尽管的流电流能力远远大于JFET器件，所以集成在电路内部时所占芯片面积小。而且由于本发明不需要任何外接元件，电路结构简单可靠，可以很方便的集成到各种高压模拟集成电路中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 高压 耗尽 nmos 结构 低压 电源 电路 | ||
【主权项】：
一种采用高压耗尽NMOS管结构的高压转低压电源电路，包括低压稳压电路（2），其特征是还包括高压耗尽管（1），所述高压耗尽NMOS管（1）的漏端接高压电源电压，栅端接一固定电位，源端为高压电源转化为低压电源输出。
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