[发明专利]热处理腔、温度测量装置与方法无效
申请号: | 201010549911.1 | 申请日: | 2010-11-15 |
公开(公告)号: | CN102263044A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 蔡俊雄;吴启明;余德伟;詹前泰 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供热处理腔、温度测量装置与方法,其中该温度测量装置,适用于非接触性测量待测元件的温度。辐射源发射入射辐射至待测元件以在既定时间加热待测元件至既定温度范围,入射辐射具有第一既定辐射范围。辐射检测器于待测元件被加热的时候接收来自待测元件的反射辐射,而辐射检测器适用于检测第二既定辐射范围。处理器耦接于辐射检测器,根据第二既定辐射范围产生对应于待测元件的校准温度信号。本发明能以非接触的方式直接测量待测元件的温度。 | ||
搜索关键词: | 热处理 温度 测量 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种温度测量装置,适用于非接触性测量一待测元件的温度,包括:一辐射源,发射一入射辐射至上述待测元件以在一既定时间加热上述待测元件至一既定温度范围,上述入射辐射具有一第一既定辐射范围;一辐射检测器,当上述待测元件被加热的时候接收来自上述待测元件的反射辐射,其中上述辐射检测器用以检测一第二既定辐射范围;以及一处理器,耦接于上述辐射检测器,根据上述第二既定辐射范围,产生对应于上述待测元件的一校准温度信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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