[发明专利]一种用于晶体硅太阳能电池刻槽埋栅的方法

摘要

本发明涉及一种晶体硅太阳能电池刻槽埋栅的方法。该方法是在硅片表面沉积掩膜层，在对应电极部位腐蚀掩膜，然后采用化学腐蚀的方法刻槽，形成上窄下宽的电极槽，对该电极槽进行丝网印刷，制作出的太阳能电池片效率明显提高，本发明的制备工艺方法简单，而且节约资源，较大程度降低生产成本；同时采用该方法刻槽不会对硅片造成损害和缺陷，破片率低，可以大批量同时刻槽，适用于工业化生产。

主权项

一种晶体硅太阳能电池刻槽埋栅的方法，其特征在于，步骤包括： ①在经过常规的表面清洗以及表面结构化处理的硅片一面沉积二氧化硅或者氮化硅掩膜层；②把二氧化硅或者氮化硅蚀刻浆料印刷在硅片上所需要刻槽的电极部位，腐蚀掉需要刻槽的电极部位所对应的二氧化硅或者氮化硅掩膜；③把腐蚀后的硅片经过纯水喷淋、超声波清洗、稀盐酸溶液中超声清洗、循环纯水漂洗、纯水喷淋后放入盛有酸或碱溶液的容器中进行刻槽，即通过酸或者碱溶液与硅片反应，来完成对硅片刻槽的目的；④对刻槽后的硅片用去离子水清洗，干燥后完成刻槽；⑤将刻槽后的硅片进行扩散、等离子刻蚀、去磷硅玻璃、PECVD、丝网印刷，烧结等工序，得到太阳能电池片。