[发明专利]等离子体增强化学气相沉积装置有效
申请号: | 201010551488.9 | 申请日: | 2010-11-19 |
公开(公告)号: | CN101974739A | 公开(公告)日: | 2011-02-16 |
发明(设计)人: | 陈金元;马哲国;董家伟;刘传生;杨飞云 | 申请(专利权)人: | 理想能源设备有限公司 |
主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 英属维尔京群岛*** | 国省代码: | 维尔京群岛;VG |
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摘要: | 一种等离子体增强化学气相沉积装置,包括:腔体,包括位于其顶部的进气口;电源,位于腔体外用于提供射频信号;气体扩散板组件,位于腔体内进气口下方且接地;上电极,位于腔体内气体扩散板组件的下方,上电极上设置有射频信号输入点,电源通过射频信号输入点向上电极加载射频信号;下电极,位于腔体底部且接地,与上电极相配合形成位于上电极和下电极之间的等离子体;上电极和下电极间形成等离子体等效电容器;上电极和气体扩散板之间形成调节等效电容器,调节等效电容器与等离子体等效电容器并联,调节等效电容器的电容区域分布与施加于上电极的射频信号的功率密度区域分布相匹配。本发明技术方案可降低成本、简化装配、提高寿命。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 增强 化学 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种等离子体增强化学气相沉积装置,包括:腔体,包括位于其顶部的进气口,所述腔体连接于地端;电源,位于所述腔体外,用于产生激发等离子体的射频信号;气体扩散板组件,位于所述腔体内进气口下方,用于均匀从所述进气口进入所述腔体的反应气体,所述气体扩散板组件至少包含一与所述腔体等电位的气体扩散板;上电极,位于所述腔体内所述气体扩散板组件的下方,所述上电极上设置有射频信号输入点,所述电源通过所述射频信号输入点向所述上电极注入射频信号;下电极,位于所述腔体底部且接地,与所述上电极相对设置;其特征在于,所述上电极和所述下电极之间形成有等离子体等效电容器;所述上电极和所述气体扩散板之间形成有调节等效电容器,所述调节等效电容器与所述等离子体等效电容器并联,所述调节等效电容器的电容与施加于所述上电极的射频信号相匹配,用以调节在所述上电极与所述下电极之间的等离子体的均匀分布。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的