[发明专利]晶片及其处理方法和制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201010551676.1 | 申请日： | 2010-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102130025A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 尹宣弼;李硕灿 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/00;H01L23/488;H01L23/49;H01L21/98;H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;李娜娜 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开公开了一种晶片、一种处理晶片的方法和一种制造半导体装置的方法。处理晶片的方法包括：提供半导体基底；在半导体基底的第一裸片区中形成包括第一电路的电路部并在半导体基底的第二裸片区中形成包括第二电路的电路部；形成与第一电路电通信的第一焊盘和与第二电路电通信的第二焊盘；在形成第一电路和第二电路后，形成至少一部分在第一裸片区和第二裸片区的边界内的导线，所述导线与第一电路和第二电路电隔离。导线形成在包含多个电路的晶片上。导线与形成在晶片内的电路隔离。芯片安装在晶片上，并且具有连接到晶片的导线的各自的芯片焊盘。然后，可以利用封装树脂来保护晶片并将晶片单片化。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 及其 处理 方法 制造 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种处理晶片的方法，所述方法包括以下步骤：提供第一半导体基底；在第一半导体基底的第一裸片区中形成包括第一电路的电路部并在第一半导体基底的第二裸片区中形成包括第二电路的电路部；形成与第一电路电通信的第一焊盘和与第二电路电通信的第二焊盘；在形成第一电路和第二电路后，形成至少一部分在第一裸片区和第二裸片区的边界内的导线，所述导线与第一电路和第二电路电隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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