[发明专利]浅沟槽隔离结构及其形成方法无效
| 申请号： | 201010552499.9 | 申请日： | 2010-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102468214A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 宋化龙;何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种浅沟槽隔离结构形成方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成浅沟槽；在所述浅沟槽表面形成第一衬垫介质层；在所述第一衬垫介质层表面形成第二衬垫介质层；部分氧化所述第二衬垫介质层，形成第三衬垫介质层；形成填充满所述浅沟槽的隔离介质层。本发明中在浅沟槽表面所形成的第一衬垫介质层可以修复刻蚀衬底形成浅沟槽的过程中对浅沟槽表面造成的破坏，并且减小后续形成的第二衬垫介质层与浅沟槽表面的应力；本发明中所形成的第二衬垫介质层可以防止蒸汽退火过程中，水分子和氧原子扩散到有源区，并与硅发生氧化反应；本发明中所形成的形成第三衬垫介质层可以降低后续隔离介质层的沉积速率，提高浅沟槽隔离结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面依次形成有衬垫氧化层和刻蚀停止层；依次刻蚀所述衬垫氧化层、刻蚀停止层和衬底，形成浅沟槽；在所述浅沟槽表面形成第一衬垫介质层；在所述第一衬垫介质层表面形成第二衬垫介质层；部分氧化所述第二衬垫介质层，形成第三衬垫介质层；形成填充满所述浅沟槽的隔离介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
