[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201010552511.6 | 申请日： | 2010-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102074571A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 冈本直哉 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/00 | 分类号： | H01L29/00;H01L29/812;H01L21/338 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 日本国神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：复合半导体层，设置在衬底上方；多个源电极和多个漏电极，设置在所述复合半导体层上方；多个第一通路，每个所述第一通路被配置为穿通所述复合半导体层并耦合至所述多个源电极中相应的一个源电极；多个第二通路，每个所述第二通路被配置为穿通所述复合半导体层并耦合至所述多个漏电极中相应的一个漏电极；共源配线，被配置为耦合至所述多个第一通路并埋置在所述衬底中；以及共漏配线，被配置为耦合至所述多个第二通路并埋置在所述衬底中。本发明能够简化半导体器件的制造工艺、降低成本及改善半导体器件的电气特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：复合半导体层，被设置在衬底上方；多个源电极和多个漏电极，被设置在所述复合半导体层上方；多个第一通路，每个所述第一通路被配置为穿通所述复合半导体层并被耦合至所述多个源电极中相应的一个源电极；多个第二通路，每个所述第二通路被配置为穿通所述复合半导体层并被耦合至所述多个漏电极中相应的一个漏电极；共源配线，被配置为被耦合至所述多个第一通路并被埋置在所述衬底中；以及共漏配线，被配置为被耦合至所述多个第二通路并被埋置在所述衬底中。
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