[发明专利]化学增幅型含硅I-线紫外负性光刻胶及其成膜树脂无效
| 申请号： | 201010552633.5 | 申请日： | 2010-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102050908A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 冉瑞成;沈吉 | 申请（专利权）人： | 昆山西迪光电材料有限公司 |
| 主分类号： | C08F212/14 | 分类号： | C08F212/14;C08F230/08;G03F7/075 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡;王华 |
| 地址： | 215311 江苏省苏州市昆山市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种化学增幅型含硅I-线紫外负性光刻胶，主要由10～30份的成膜树脂、0.5～6份的光致酸；0.5～10份的交联剂；70～90份的溶剂经混合后制成所述成膜树脂主要由0.5%～40%的含硅丙烯酸酯类偶联剂和40%～90%的取代苯乙烯经共聚反应制得。本发明在一般以聚对羟基苯乙烯（PHS）为基础的成膜树脂配方中引入了可以与之共聚合的含硅的丙烯酸酯类偶联剂，进行共聚合制备成一类新的成膜树脂，这种新的成膜树脂由于含硅丙烯酸酯类偶联剂单元的作用，增加了光刻胶与硅片之间的粘结性能，同时也改善了抗干刻蚀的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 增幅 型含硅 紫外 光刻 及其 树脂 | ||
【主权项】：
1.一种成膜树脂，由共聚单体在自由基引发剂存在的条件下，于溶剂中进行共聚合反应制备而成，其特征在于：所述成膜树脂的分子量为2000～100000，分子量分布为1.4～2.8；所述共聚单体主要为下列质量百分含量的化合物：取代苯乙烯 40%～90%；含硅丙烯酸酯类偶联剂 0.5%～40%；所述取代苯乙烯是符合化学通式（![]()
）的至少一种化合物：![]()
（![]()
）；式中，R1是H、乙酰基或者丙酰基；m=1或2；所述含硅丙烯酸酯类偶联剂的化学通式如（![]()
）式所示：![]()
（![]()
）；式中：R2是H、CH3或CF3；R3是碳原子数为1～20的烷基；R4是碳原子数为1～20的烷基；R5是OH、碳原子数为1～20的烷基或碳原子数为1～20的烷氧基；n=1～8。
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