[发明专利]制备热解氮化硼制品用的化学气相沉积工艺及气相沉积炉有效
申请号: | 201010552775.1 | 申请日: | 2010-11-22 |
公开(公告)号: | CN102021533A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 赵凤鸣;赵林 | 申请(专利权)人: | 赵凤鸣 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C23C16/455;C23C16/458 |
代理公司: | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人: | 张晨 |
地址: | 110000 辽宁省沈阳*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明的目的在于提供一种制备热解氮化硼制品用的化学气相沉积工艺及其设备,该工艺采用气相沉积炉,所述气相沉积炉包括炉体、加热体、进气口、出气口以及模具,进气口在炉体底部或顶部,原料气体为N2、NH3和BCl3的混合气体,炉温为1800~2000℃,保温14~26h,其特征在于:气相沉积炉的进气口为三同心圆进气口,每个同心圆进气口通入一种气体,有1~36只产品模具在炉内同时进行公转、自转,模具在炉内的公转速度为1~10圈/分钟。产品模具的旋转机构设置在炉体内或外的上端或下端;该工艺能够提高PBN产品质量及其生产效率,降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 制备 氮化 制品 化学 沉积 工艺 | ||
【主权项】:
制备热解氮化硼制品用的化学气相沉积工艺,该工艺采用气相沉积炉,原料气体为N2、NH3和BCl3的混合气体,炉温为1800~2000℃,保温14~26h,其特征在于:所述气相沉积炉的进气口为三同心圆进气口,有1~36只产品模具在炉内同时进行公转、自转。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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