[发明专利]固体摄像器件、相机、半导体器件及其制造方法有效
申请号: | 201010553202.0 | 申请日: | 2010-11-22 |
公开(公告)号: | CN102082155A | 公开(公告)日: | 2011-06-01 |
发明(设计)人: | 远藤表徳;阿部高志 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335;G03B19/02 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 褚海英;王维玉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种固体摄像器件、相机、半导体器件以及其制造方法,其中所述固体摄像器件包括:半导体基板;至少一个感光部,其位于半导体基板中并具有电荷累积区;以及介电层,其位于半导体基板的与电荷累积区相邻的感应层上方,感应层由介电层感应。根据本发明的实施方式的固体摄像器件以及相机能够避免暗电流以及混色。而且,根据本发明的实施方式的半导体器件及其制造方法能够避免诸如光电转换元件等器件的噪声。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 相机 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种固体摄像器件,其包括:半导体基板;至少一个感光部,其位于所述半导体基板中并具有电荷累积区;以及介电层,其位于所述半导体基板的与所述电荷累积区相邻的感应层上方,其中,所述感应层由所述介电层感应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的