[发明专利]一种降低硅片表面微划伤的抛光液及其制备和使用方法

摘要

本发明属于硅片加工中的化学机械抛光领域，涉及降低硅片表面微划伤的抛光液及其制备和使用方法。本发明的抛光液的组分及重量百分含量为：磨料20-40wt%、pH值调节剂5-10wt%、表面活性剂0.04-0.05wt%、氧化剂1-10wt%、螯合剂3-5wt%、余量为水；抛光液中≥0.56微米的大颗粒数为30-150万颗/ml。使用时抛光液与去离子水的稀释质量之比为1:20-30。本发明通过控制抛光液中组分、配比及≥0.56微米的大颗粒数来控制硅片的抛光，在保证硅片抛光速率≥1微米/分钟的情况下，大大降低了硅片抛光后的表面微划伤，即在满足硅片生产率的同时，提高硅片的合格率，降低生产成本。

主权项

一种降低硅片表面微划伤的抛光液，其组分及各组分的重量百分含量为：磨料20‑40wt％、pH值调节剂5‑10wt％、表面活性剂0.04‑0.05wt％、氧化剂1‑10wt％、螯合剂3‑5wt％、余量为水；所述抛光液中≥0.56μm的大颗粒数为30万颗/ml‑150万颗/ml。