[发明专利]快速恢复二极管有效

专利信息
申请号: 201010553854.4 申请日: 2010-11-09
公开(公告)号: CN102054876A 公开(公告)日: 2011-05-11
发明(设计)人: J·沃贝基;A·科普塔;M·卡马拉塔 申请(专利权)人: ABB技术有限公司
主分类号: H01L29/861 分类号: H01L29/861;H01L29/36;H01L21/329
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 朱海煜;徐予红
地址: 瑞士*** 国省代码: 瑞士;CH
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摘要: 提供快速恢复二极管(1),其包括具有阴极侧(23)和在该阴极侧(23)相对侧的阳极侧(24)的第一导电类型的基极层(2)。具有第一深度(410)和第一最大掺杂浓度的第二导电类型的阳极缓冲层(41)设置在该阳极侧(24)上。具有第二深度(420)(其低于该第一深度(410))和第二最大掺杂浓度(其高于该第一最大掺杂浓度)的第二导电类型的阳极接触层(42)也设置在该阳极侧(24)上。处于击穿电压的阳极结的空间电荷区位于在该第一和该第二深度(410、420)之间第三深度(430)中。在该第二和该第三深度(420、430)之间设置有具有缺陷峰值的缺陷层(43)。
搜索关键词: 快速 恢复 二极管
【主权项】:
一种快速恢复二极管(1)包括具有阴极侧(23)和在所述阴极侧(23)相对侧的阳极侧(24)的第一导电类型的基极层(2),在所述阳极侧(24)上具有第一深度(410)和第一最大掺杂浓度的第二导电类型的阳极缓冲层(41),具有低于所述第一深度(410)的第二深度(420)和高于所述第一最大掺杂浓度的第二最大掺杂浓度的第二导电类型的阳极接触层(42),处于击穿电压的阳极结的空间电荷区,其位于第三深度(430)和所述阴极侧(23)之间,所述第三深度(430)设置在所述第一和所述第二深度(410、420)之间,所述第一、第二和第三深度(410、420、430)从所述阳极侧(24)测量,以及具有缺陷峰值的缺陷层(43),其设置在所述第二和第三深度(420、430)之间。
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