[发明专利]99.6%氧化铝陶瓷薄膜基片的烧成方法无效
| 申请号： | 201010554117.6 | 申请日： | 2010-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102464487A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 陈凤宇;朴元日 | 申请（专利权）人： | 上海恒耐陶瓷技术有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/10 | 分类号： | C04B35/10;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201611 上海市松江区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种99.6％氧化铝陶瓷薄膜基片的烧成方法，以99.99％的氧化铝粉料，1.8-2.5％的氧化镁和0.2％的二氧化硅为原料，采取单片叠压烧结方法，将成型后的陶瓷基片毛坯根据客户需要进行冲裁各种尺寸，然后采用单片放置的方式在1800度的窑炉里烧结24-48小时。这种方法可以解决目前行业中复平时产生的二次烧结晶粒长大，会使基片的物理特性下降的难题。 | ||
| 搜索关键词： | 99.6 氧化铝陶瓷 薄膜 烧成 方法 | ||
【主权项】：
一种99.6％氧化铝陶瓷薄膜基片的烧成方法，其原料为99.99％的氧化铝粉料，1.8‑2.5％的氧化镁和0.2％的二氧化硅，先将原料制备成浆料，然后成型得到超薄的99.6％陶瓷基片毛坯，进行烧结，烧结采用单片叠压的方法烧结，将成型后的陶瓷基片毛坯根据客户需要进行冲裁各种尺寸，然后采用单片放置的方式在1800度的窑炉里烧结24‑48小时。
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