[发明专利]一种生长硼酸铋晶体的工艺方法无效
| 申请号： | 201010555014.1 | 申请日： | 2010-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102002752A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;吴少凡;郑熠 | 申请（专利权）人： | 福建福晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种生长硼酸铋晶体的工艺方法。传统的硼酸铋晶体生长方法在生长过程中容易出现籽晶扭断及缺陷问题，本发明采用采用电阻式下降炉进行晶体生长。由于晶体是在整个坩埚里结晶，所以不存在籽晶扭断的问题。另外由于坩埚下降法可以通过改变坩埚下降速度来提供比较缓慢的生长速度，使得晶体在生长过程中不容易出现生长缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 硼酸 晶体 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种生长硼酸铋晶体的工艺方法，其特征在于将原料混合均匀后熔融后装入坩埚中冷却，后放置于电阻式下降炉中进行晶体生长。
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