[发明专利]一种防止三硼酸铯生长过程中原料严重挥发的方法无效
| 申请号： | 201010555086.6 | 申请日： | 2010-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102108550A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 王昌运;吴少凡;陈伟;郑熠 | 申请（专利权）人： | 福建福晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种防止三硼酸铯生长过程中原料严重挥发的方法。本发明的核心内容是采用碳酸铯和硼酸为原料，其中铯过量5％的摩尔百分比，于普通硅碳棒炉子900℃条件下熔融反应至原料全部熔解，装入坩埚，坩埚上面盖上一层环状白金片，然后放入自制的熔盐炉中生长。本发明解决了三硼酸铯生长过程严重挥发问题，从而生长得到优质晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 硼酸 生长 过程 原料 严重 挥发 方法 | ||
【主权项】：
一种防止三硼酸铯生长过程中原料严重挥发的方法，其特征在于：采用碳酸铯和硼酸为原料，于普通硅碳棒炉子熔融反应至原料全部熔解，装入坩埚；坩埚上面盖上一层环状白金片，放入自制熔盐炉中生长。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建福晶科技股份有限公司，未经福建福晶科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010555086.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于浅海复合软管铺设的喷射式埋设犁
- 下一篇：一种海上单桩基础结构
