[发明专利]采用溶剂热法制备BaHfO3:Ce纳米发光粉体的方法无效

专利信息
申请号: 201010555407.2 申请日: 2010-11-23
公开(公告)号: CN102020987A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 马伟民;苑晓宇;杨化仁;李玉玲;温强 申请(专利权)人: 沈阳化工大学
主分类号: C09K11/67 分类号: C09K11/67
代理公司: 沈阳技联专利代理有限公司 21205 代理人: 张志刚
地址: 110142 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 采用溶剂热法制备BaHfO3:Ce纳米发光粉体的方法,涉及一种纳米发光材料的制备方法,其特征在于该方法采用高纯Ba(NO3)2,HfOCl2·8H2O作为反应原料,以Ce(NO3)3作为激活剂,KOH作为矿化剂,乙醇/水混合溶剂作为反应时的溶剂;制备过程包括原料配置、矿化剂加入、混合、水热反应、过滤、洗涤及干燥过程;BaHfO3:Ce纳米发光粉体中Ce的含量在0.1-1.1mol%之间。本发明制备BaHfO3:Ce发光纳米粉体的方法工艺简单,粉体形貌及粒径可控性好。本发明闪烁体基质材料,可将其烧制成光学性能优良的闪烁、透明陶瓷。
搜索关键词: 采用 溶剂 法制 bahfo sub ce 纳米 发光 方法
【主权项】:
1.采用溶剂热法制备BaHfO3:Ce纳米发光粉体的方法,其特征在于该方法采用高纯Ba(NO3)2,HfOCl28H2O作为反应原料,以Ce(NO3)3作为激活剂,KOH作为矿化剂,乙醇/水混合溶剂作为反应时的溶剂;制备过程包括原料配置、矿化剂加入、混合、水热反应、过滤、洗涤及干燥过程;BaHfO3:Ce纳米发光粉体中Ce的含量在0.1-1.1mol%之间。
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