[发明专利]晶体管及其制造方法、芯片及太阳能计算器无效
| 申请号： | 201010555732.9 | 申请日： | 2010-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102479813A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 闻正锋;谭志辉 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;G06F15/02 |
| 代理公司： | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人： | 田明;任晓航 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用0.8微米工艺制造的金属氧化物半导体晶体管，包括半导体衬底，在半导体衬底表面上设有源极、漏极和栅极，其中，栅极的栅氧厚度为125×(1±10％)埃。本发明还公开了一种由上述晶体管制成的芯片和包含该芯片的太阳能计算器。本发明又公开了一种制造上述晶体管的方法，在该方法的栅氧生长步骤中，生长的栅氧厚度为125×(1±10％)埃。与现有晶体管相比，本发明所述晶体管N型和P型阈值电压的绝对值之和从1.74v降低到了1.4v左右。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 芯片 太阳能 计算器 | ||
【主权项】：
一种采用0.8微米工艺制造的金属氧化物半导体晶体管，包括半导体衬底，在半导体衬底表面上设有源极、漏极和栅极，其特征在于：所述栅极的栅氧厚度为125×(1±10％)埃。
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