[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010556614.X | 申请日： | 2010-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102097460A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 李宗霖;余绍铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，其中一实施例提供一种含至少三个有源区的半导体装置。此至少三个有源区彼此相邻。此至少三个有源区的纵轴相互平行且每一有源区包含一边缘与所对应区域的纵轴相交。此至少三个有源区的边缘形成一弧形。本发明可减少图案中围绕有源区的浅沟槽隔离区所导致的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：至少三个有源区，其中该至少三个有源区彼此紧邻，其中该至少三个有源区的纵轴相互平行，其中每一有源区各自包含一边缘与该有源区的纵轴相交，且该至少三个有源区的边缘形成一弧形。
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