[发明专利]一种半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201010557270.4 | 申请日： | 2010-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102479801A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 骆志炯;尹海洲;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 马佑平 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，所述半导体器件形成于半导体衬底上，所述半导体器件包括栅极堆叠、沟道区和源漏区，所述栅极堆叠形成于所述沟道区上，所述沟道区位于所述半导体衬底中，所述源漏区嵌于所述半导体衬底中，所述源漏区包括侧壁和底壁，远离所述底壁的部分所述侧壁与所述沟道区之间夹有第二半导体层，所述底壁中至少远离所述侧壁的部分经第一半导体层接于所述半导体衬底，所述底壁和/或所述侧壁的剩余部分经绝缘层接于所述半导体衬底。还提供了一种半导体器件的形成方法，利于减少源漏区内的掺杂离子向半导体衬底中扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，所述半导体器件形成于半导体衬底上，所述半导体器件包括栅极堆叠、沟道区和源漏区，所述栅极堆叠形成于所述沟道区上，所述沟道区位于所述半导体衬底中，所述源漏区嵌于所述半导体衬底中，所述源漏区包括侧壁和底壁，远离所述底壁的部分所述侧壁与所述沟道区之间夹有第二半导体层，所述底壁中至少远离所述侧壁的部分经第一半导体层接于所述半导体衬底，所述底壁和/或所述侧壁的剩余部分经绝缘层接于所述半导体衬底。
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