[发明专利]光刻方法有效
| 申请号： | 201010557695.5 | 申请日： | 2010-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102478762A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 武咏琴 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/40;H01L21/027;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻方法，在晶片表面形成PR，并对PR进行曝光、显影形成光刻图案后，向晶片表面喷洒HMDS，然后采用SEM捕获光刻图案后进行调焦，直到视野中出现清晰的光刻图案后停止调焦。采用本发明公开的方法能够避免PR在SEM的作用下发生收缩。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻方法，该方法包括：A、在晶片表面形成光阻胶PR，并对PR进行曝光、显影形成光刻图案后，向晶片表面喷洒六甲基二硅胺烷HMDS；B、采用扫描电子显微镜SEM捕获光刻图案后进行调焦，直到视野中出现清晰的光刻图案后停止调焦；C、采用去离子水DIW冲洗晶片表面；D、量测SEM视野中的光刻图案的关键尺寸CD，如果CD达到预设要求，则结束流程；否则，去除光刻图案，然后重新返回执行步骤A。
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