[发明专利]晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201010558393.X | 申请日： | 2010-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102479814A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶体管及其制作方法，该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成绝缘支柱；形成覆盖所述半导体衬底和绝缘支柱的外延层，所述外延层的厚度大于所述绝缘支柱的高度；在外延层表面形成栅极结构，所述栅极结构位于所述绝缘支柱上方；在所述栅极结构两侧的外延层内形成源区和漏区，所述源区和漏区位于所述绝缘支柱的两侧。本发明解决了晶体管的短沟道效应，提高了晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成绝缘支柱；在所述绝缘支柱和半导体衬底上形成外延层，所述外延层的厚度大于等于所述绝缘支柱的高度；在外延层上形成栅极结构，所述栅极结构位于所述绝缘支柱上方；在所述栅极结构两侧的外延层内形成源区和漏区，所述源区和漏区位于所述绝缘支柱的两侧。
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