[发明专利]一种仅采用低压MOS管实现的负电压电荷泵电源电路

摘要

本发明公开一种仅采用低压晶体管实现的负电压电荷泵电源电路，包括一P型场效应晶体管、四个N型场效应晶体管和两个电容，各晶体管栅极连有电平移位模块；P型场效应晶体管源极与衬底相连后连于电源输入端，且漏极与第一N型场效应晶体管漏极相连；第一N型场效应晶体管源极与衬底短接到地电位；第二、三N型场效应晶体管漏极连到地电位，且源极与各自的衬底相连后连于第四N型场效应晶体管漏极；第四N型场效应晶体管衬底与源极短接，并连到电压输出端；第一电容连接于P型场效应晶体管漏极和第二N型场效应晶体管源极；第二电容连到第四N型场效应晶体管源极和地电位。本发明实现负电压电源，减小了电荷泵版图面积，并丰富了工艺的选择。

主权项

一种仅采用低压晶体管实现的负电压电荷泵电源电路，其特征在于：包括一P型场效应晶体管、四个N型场效应晶体管和两个电容，其中各所述晶体管的栅极连有一电平移位模块；所述的P型场效应晶体管的源极与其自己的衬底相连后连接于电源输入端，且其漏极与第一N型场效应晶体管的漏极相连；所述第一N型场效应晶体管的源极与其衬底相连后连接地电位；所述第二、第三N型场效应晶体管的漏极都连接到地电位，且其源极与其各自的衬底相连后连于所述第四N型场效应晶体管的漏极；所述第四N型场效应晶体管的源极与其衬底相连后连接到电压输出端；所述第一电容的两端分别连接于P型场效应晶体管的漏极和所述第二、三N型场效应晶体管的源极；所述第二电容的两端分别连接到所述第四N型场效应晶体管的源极和地电位。