[发明专利]高热稳定性铜-难熔金属非晶薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201010558503.2 | 申请日： | 2010-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101994085A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 孙勇;郭中正;周铖;刘国涛 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/35;C22C45/00 |
| 代理公司： | 昆明今威专利代理有限公司 53115 | 代理人： | 赵云 |
| 地址： | 650093 云南省昆明*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 高热稳定性铜-难熔金属非晶薄膜及其制备方法。本发明属于电子工业中所用的金属互联薄膜材料及其制备技术。本发明是将铜与难熔金属Nb，W或Mo中的一种或多种制备成复合靶材，以复合靶材为溅射源，用离子束辅助的磁控共溅射法沉积铜-难熔金属非晶薄膜，并且控制薄膜中难熔金属所占的原子百分比为23.4％～38.0％。采用本技术制备的非晶合金薄膜热稳定性高，导电性强、硬度大，综合性能优，且本技术高效可靠，可望进一步拓展材料应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 高热 稳定性 金属 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高热稳定性铜‑难熔金属非晶薄膜，其特征是：以铜为基体，将铜与难熔金属构成的非晶材料，该难熔金属为Nb，W或Mo中的一种或多种，且薄膜中难熔金属所占的原子百分比为23.4％～38.0％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明理工大学，未经昆明理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010558503.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：圆形沿口型材的弯曲成型方法和装置
- 下一篇：一种具有和胃通络功效的药酒
- 同类专利
- 专利分类
