[发明专利]一种单相铁电薄膜、制备方法及有效电阻调控方式

摘要

本发明公开了一种通过铁电极化可以调控有效电阻的单相铁电薄膜、制备方法及有效电阻调控方式。本发明的单相铁电薄膜包括B位掺杂的锆钛酸钡Ba1-xSrxTi1-yByO3、铁酸铅Pb(Fe1-yBy)O3、钴酸铅Pb(Co1-yBy)O3、锆钛酸铅(Pb1-xAx)(ZryTi1-y)O3、A位掺杂的锰酸钇Y1-xAxMnO3、铁酸铋Bi1-xAxFeO3、钛酸铋Bi4-xAxTi3O12；本发明利用脉冲激光沉积、激光分子束外延、磁控溅射的薄膜制备方法制备单相铁电薄膜；制得的铁电薄膜的厚度在0.4-1000纳米，并且具有较大的电导和漏电流，同时具备铁电性和半导体性能；本发明提供了一种提高单相铁电薄膜抗疲劳性能的方法，其铁电极化翻转次数可以提高到x=102~1010次，通过翻转铁电极化，可以调控单相铁电薄膜的有效电阻。

主权项

一种单相铁电薄膜，其特征在于：包括B位掺杂的锆钛酸钡Ba1‑xSrxTi1‑yByO3、铁酸铅Pb(Fe1‑yBy)O3、钴酸铅Pb(Co1‑yBy)O3、锆钛酸铅(Pb1‑xAx)(ZryTi1‑y)O3、A位掺杂的锰酸钇Y1‑xAxMnO3、铁酸铋Bi1‑xAxFeO3、钛酸铋Bi4‑xAxTi3O12，其中0£x£0.8，0£y£0.8，A为Sr、Er、Tm、Yb、Lu、Sc、La、Nd、Tb、Sm、Pr、Mg中的一种或多种金属离子，B为Co、Fe、Nb、Mn、Zr、Zn中的一种或多种金属离子。