[发明专利]一种SOI光子晶体器件无效
| 申请号： | 201010559476.0 | 申请日： | 2010-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102478685A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 徐小科;何兵 | 申请（专利权）人： | 上海复莱信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136;G02B6/122;G03F7/00;G03F7/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200433 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种以SOI为材料制作二维光子晶体器件的方法，该方法较好的利用了SOI材料本身的特性，通过选择合适的顶层硅和埋层厚度、孔径和周期，采用光学光刻和ICP-DRIE刻蚀成功制作出了光子晶体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi 光子 晶体 器件 | ||
【主权项】：
一种SOI光子晶体器件，是以SOI为材料制作出的二维光子晶体器件，其特征是，所述光子晶体器件的制作方法为：a)制作二维光子晶体的初始SOI材料；b)在SOI顶层硅上涂光刻胶，进行前烘处理；c)为在光刻胶上放置掩膜板；d)通过曝光将掩膜板上的图样转移到光刻胶上；e)进行显影操作；f)再次后烘，对光刻胶进行固化坚膜如图；g)采用反应离子束刻蚀去掉被曝光的顶层硅部分；h)刻蚀埋氧层；i)利用干法或者湿法去除光刻胶层，得到二维光子晶体器件。
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