[发明专利]一种基于SOI材料的还原性气体传感器无效
| 申请号： | 201010559514.2 | 申请日： | 2010-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102478547A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 徐小科;何兵 | 申请（专利权）人： | 上海复莱信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N29/02 | 分类号： | G01N29/02;G01N29/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200433 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种基于SOI材料的还原性气体传感器，由IDT、氧化锌敏感薄膜、SOI压电基片组成，其制作步骤为：1)选择合适的SOI基体，并在基体上光刻出2个IDT的位置，然后用射频溅射的方式生成2个IDT。2)用sol-gel法在基体上生成氧化锌敏感薄膜，并测量该敏感薄膜的电导率。3)在SOI基片的另一面大面积注入淡硼，通过调整硼的注入量以使基片的谐振电导率与氧化锌薄膜的电导率接近。4)用直流溅射的方法在氧化锌薄膜上生成极薄的贵金属薄膜作为催化剂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 soi 材料 原性 气体 传感器 | ||
【主权项】：
一种基于SOI材料的还原性气体传感器，包括IDT、压电基片与敏感薄膜，其特征是，所述压电基片由SOI制成，敏感薄膜由氧化锌制成。
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