[发明专利]双层相变电阻以及相变存储器的形成方法无效
| 申请号： | 201010560429.8 | 申请日： | 2010-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102479922A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 李凡;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种双层相变电阻的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有第一层相变电阻；在所述第一层相变电阻上形成具有第一开口的第一介质层，所述第一开口暴露出所述第一层相变电阻；在所述第一开口的侧壁形成相变电阻，且所述相变电阻围成第二开口；在所述第二开口内形成第二介质层；形成第二层相变电阻，所述第二层相变电阻覆盖所述第一介质层、所述相变电阻以及第二介质层。本发明可以确保第二层相变电阻和第一层相变电阻的连接部的关键尺寸小，提高PCRAM的性能，可以降低复位电流，提高设置速度。 | ||
| 搜索关键词： | 双层 相变 电阻 以及 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种双层相变电阻的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有第一层相变电阻；在所述第一层相变电阻上形成具有第一开口的第一介质层，所述第一开口暴露出所述第一层相变电阻；在所述第一开口的侧壁形成相变电阻，且所述相变电阻围成第二开口；在所述第二开口内填充第二介质层；形成第二层相变电阻，所述第二层相变电阻覆盖所述第一介质层、所述相变电阻以及第二介质层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010560429.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：自动制面包机
- 下一篇：搅拌机钢化玻璃杯的生产工艺
